去膠工藝是微加工過程中一個重要的過程，在電子束曝光，紫外曝光等微納米加工工藝后，都要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對樣片是否有損傷等問題，將直接影響后續工藝的順利完成。

等離子去膠性能出色的組件和軟件，可對工藝參數進行精確控制。它的工藝監測和數據采集軟件可實現嚴格的質量控制。該技術已經成功的應用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領域。

　　產品具有去膠快速*；對樣片無損傷；操作簡單安全；設計緊湊美觀；產品性價比高等優勢。

 

　　等離子去膠在使用中四大影響要素，希望能幫到大家。

　　1、調整合適的頻率：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。通常常用頻率為13.56MHz及2.45GHZ。

　　2、調整合適功率：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據技術需求調理功率。

　　3、調整適合的真空度：恰當的真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。

　　4、氧氣流量的調整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復合概率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。