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主動隔震臺精密設(shè)備的“防震衛(wèi)士”
2025-06-18

在精密儀器、高級制造和科研實驗領(lǐng)域,微小的振動都可能影響設(shè)備的正常運行,甚至導(dǎo)致實驗數(shù)據(jù)失真或產(chǎn)品精度下降。為了解決這一問題,主動隔震臺應(yīng)運而生。它是一種能主動檢測并抵消外界振動的先進(jìn)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、精密光學(xué)、地震觀測、航空航天...

  • 2023-04-13

    01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應(yīng)用,對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中,硅光子學(xué)(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此,開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)高效地擴(kuò)大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施,SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟,但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...

  • 2023-04-12

    相較上一代平臺,全新自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)(IQAlignerNT)產(chǎn)出率和對準(zhǔn)精度提升兩倍,為EVG光刻解決方案帶來了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)(EVG)近日宣布推出IQAlignerNT,旨在針對大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點對準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...

  • 2023-04-12

    1.介紹對電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒壏庋b和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝,小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此,對于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長,以實現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景,需要能夠通過高級封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造(HVM)行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計,并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時代。EVGroup開發(fā)了MLE™(無掩模曝...

  • 2023-04-12

    一、優(yōu)勢簡介:MicroSense的高精度電容式位移傳在感器,除具有一般非接觸式儀器的共性外,還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強(qiáng)、使用方便等優(yōu)點,在國內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應(yīng)用,成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種非常重要的測試儀器。二、特點:1、可實現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測量2、分辨率可達(dá)亞納米級直至皮納米級,在所有商用電容傳感器品牌中,噪音ZUI低3、提供多種型號的探頭,以滿足高穩(wěn)定性、線性或高測量帶寬等不同需求4、...

  • 2023-04-12

    3結(jié)果與討論3.1顯影時間影響經(jīng)過無掩模光刻機(jī)曝光后,目標(biāo)圖案已轉(zhuǎn)移至ITO玻璃上。將ITO玻璃放置于加熱板上進(jìn)行加熱,烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分,使光刻膠與ITO玻璃結(jié)合更加緊密,此時,經(jīng)過曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ITO玻璃浸沒于SU-8光刻膠專用顯影液中,由于本實驗中采用的光刻膠為負(fù)膠,因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問題是控制顯影時間。圖2為經(jīng)過不同顯影時間后,在Ti-E顯微鏡下觀察到的光刻膠...

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